ပြင်းထန်သော ပွန်းပဲ့ခြင်းအတွက် ကြွေထည်ပြားများ

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC)

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို တုံ့ပြန်မှုနှောင်ကြိုးနှင့် sintering နည်းနှစ်မျိုးဖြင့် ဖွဲ့စည်းသည်။ဖွဲ့စည်းမှုနည်းလမ်းတစ်ခုစီသည် အဆုံး microstructure ကို များစွာအကျိုးသက်ရောက်စေသည်။

Reaction bonded SiC ကို SiC နှင့် ကာဗွန်အရောအနှောများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် စိမ့်ဝင်မှုရှိသော စီလီကွန်အရည်များဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ဆီလီကွန်သည် ကာဗွန်ပိုမိုဖွဲ့စည်းသည့် SiC နှင့် ဓာတ်ပြုပြီး မူလ SiC အမှုန်များကို ချည်နှောင်သည်။

Sintered SiC ကို သန့်စင်သော SiC အမှုန့်မှမဟုတ် အောက်ဆိုဒ် sintering အကူအညီများဖြင့် ထုတ်လုပ်သည်။သမားရိုးကျ ကြွေထည်ပြုလုပ်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်များကို အသုံးပြုပြီး ပစ္စည်းအား အပူချိန် 2000ºC သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပို၍ အပူချိန် 2000ºC နှင့်အထက်တွင် ပျော့ပျောင်းသောလေထုတွင် လောင်ကျွမ်းစေသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ပုံစံနှစ်မျိုးစလုံးသည် အပူချိန်မြင့်မားမှုနှင့် အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည် အပါအဝင် ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် ပြင်းထန်စွာ ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ကျွန်ုပ်တို့၏ အင်ဂျင်နီယာများသည် သင့်အထူးလိုအပ်ချက်များအတွက် ကြွေထည်တစ်ခုစီ၏ အားသာချက်များနှင့် အားနည်းချက်များကို သင့်အား အကောင်းဆုံးအကြံပေးရန် အမြဲရှိနေပါသည်။

ပုံမှန် ဆီလီကွန် ကာဗိုက် လက္ခဏာများ ပါဝင်သည်-

• သိပ်သည်းဆနည်းတယ်။

• ခွန်အားမြင့်မားခြင်း။

• မြင့်မားသော အပူချိန် အားကောင်းခြင်း (တုံ့ပြန်မှု ချည်နှောင်ထားသည်)

• Oxidation resistance (တုံ့ပြန်မှုနှောင်ကြိုး)၊

• အထူးကောင်းမွန်သော အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

• မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း။

• Excellent ကဓာတုခုခံ

• Low thermal expansion နှင့် high thermal conductivity

သာမာန် ဆီလီကွန် ကာဗိုက်အပလီကေးရှင်းများ ပါဝင်သည်-

• ပုံသေနှင့်ရွေ့လျားနေသောတာဘိုင်အစိတ်အပိုင်းများ

• Seals, bearings, pump vanes

• Ball valve အစိတ်အပိုင်းများ

• ပန်းကန်ပြားများ ဝတ်ဆင်ပါ။

• မီးဖိုပရိဘောဂ

• အပူလဲလှယ်ကိရိယာများ

• Semiconductor wafer processing ကိရိယာ

ကျွန်ုပ်တို့၏ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နှင့် ၎င်းကို သင့်ထုတ်ကုန်အတွက် မည်သို့အသုံးပြုရမည်အကြောင်း နောက်ထပ်အချက်အလက်များအတွက် ယနေ့ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။